NTMSD2P102LR2G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMSD2P102LR2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMSD2P102LR2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

710mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NTMSD2P102LR2GOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTMSD2P102LR2G".

NTMSD3P102R2SG

Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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