NTNS3A65PZT5G

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Especificaciones

Número de pieza

NTNS3A65PZT5G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTNS3A65PZT5G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

155mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

NTNS3A65PZT5GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

22 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

44pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

281mA (Ta)

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