NTP2955G

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Especificaciones

Número de pieza

NTP2955G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTP2955G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

196 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta), 62.5W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

NTP2955G-ND
NTP2955GOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 2.4A (Ta) 2.4W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTP2955G".

NTP35N15G

Descripción: MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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