NTP8G206NG

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Especificaciones

Número de pieza

NTP8G206NG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTP8G206NG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 500µA
Vgs (Max)

±18V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 8V
La disipación de energía (máximo)

96W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

NTP8G206NGOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 480V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTP8G206NG".

NTP75N06

Descripción: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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