NTPF082N65S3F

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Especificaciones

Número de pieza

NTPF082N65S3F
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NTPF082N65S3F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F-3
Serie

SuperFET® III
RDS (Max) @Id, Vgs

82 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

48W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

NTPF082N65S3F-ND
NTPF082N65S3FOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3240pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 40A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTPF082N65S3F".

NTPAJ4R0LDKB0

Descripción: ICL 4 OHM 15% 4A 18MM

Fabricantes: Murata Electronics

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