NTQD6968NR2

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Especificaciones

Número de pieza

NTQD6968NR2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTQD6968NR2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-TSSOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 7A, 4.5V
Potencia - Max

1.39W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

Q2261888
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.2A 1.39W Surface Mount 8-TSSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A

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Los siguientes son productos relacionados con "NTQD6968NR2".

APTMC60TLM14CAG

Descripción: MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C

Fabricantes: Microsemi

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