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NTR4003NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTR4003NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTR4003NT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

690mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

NTR4003NT1G-ND
NTR4003NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.15nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 500mA (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

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NTR4101PT1G

Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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