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Imagen NTRV4101PT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTRV4101PT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTRV4101PT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTRV4101PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

420mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

NTRV4101PT1G-ND
NTRV4101PT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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