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Imagen NTTFS4965NFTWG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS4965NFTWG

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Especificaciones

Número de pieza

NTTFS4965NFTWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 64A U8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2075pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 16.3A (Ta), 64A (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16.3A (Ta), 64A (Tc)

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