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Imagen NTTFS5826NLTAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS5826NLTAG

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Especificaciones

Número de pieza

NTTFS5826NLTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTTFS5826NLTAG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 19W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

NTTFS5826NLTAG-ND
NTTFS5826NLTAGOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 8A (Ta) 3.1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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