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5967719Imagen NTTFS6H850NTAGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS6H850NTAG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTTFS6H850NTAG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRENCH 8 80V NFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NTTFS6H850NTAG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 70µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 10A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3.2W (Ta), 107W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerWDFN
  • Otros nombres
    NTTFS6H850NTAG-ND
    NTTFS6H850NTAGOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    40 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1140pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 68A (Tc)

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