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955519Imagen NTZD5110NT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTZD5110NT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTZD5110NT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NTZD5110NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    SOT-563
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Potencia - Max
    250mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-563, SOT-666
  • Otros nombres
    NTZD5110NT1G-ND
    NTZD5110NT1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    45 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    24.5pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    294mA
  • Número de pieza base
    NTZD5110N

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Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

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