NVD5867NLT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NVD5867NLT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVD5867NLT4G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

39 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.3W (Ta), 43W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 6A (Ta), 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 22A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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NVD5807NT4G-VF01

Descripción: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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