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Imagen NVD5C478NT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVD5C478NT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NVD5C478NT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

T6 40V DPAK EXPANSION AND
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NVD5C478NT4G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 30µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

8.4 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 30W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NVD5C478NT4G-ND
NVD5C478NT4GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 14A (Ta), 43A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 43A (Tc)

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