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1911418Imagen NVE4153NT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVE4153NT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVE4153NT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NVE4153NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SC-89
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    230 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    300mW (Tj)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-89, SOT-490
  • Otros nombres
    NVE4153NT1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 16V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1.82nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    915mA (Ta)

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