NVGS3443T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NVGS3443T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Descripción

MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVGS3443T1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Otros nombres

NVGS3443T1G-ND
NVGS3443T1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

30 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.1A (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

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