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2197380Imagen NVLJD4007NZTBGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVLJD4007NZTBG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVLJD4007NZTBG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NVLJD4007NZTBG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 100µA
  • Paquete del dispositivo
    6-WDFN (2x2)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    7 Ohm @ 125mA, 4.5V
  • Potencia - Max
    755mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-WDFN Exposed Pad
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    20pF @ 5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.75nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 245mA 755mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    245mA

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