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4302620Imagen NVMFD5852NLT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFD5852NLT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVMFD5852NLT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NVMFD5852NLT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.9 mOhm @ 20A, 10V
  • Potencia - Max
    3.2W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    NVMFD5852NLT1GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    15A

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Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

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Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL

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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

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Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

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