NVMFS4C302NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMFS4C302NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NFET SO8FL 30V 1.15MO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NVMFS4C302NT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

1.15 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.75W (Ta), 115W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5780pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 43A (Ta), 241A (Tc) 3.75W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

43A (Ta), 241A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVMFS4C03NT3G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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