2003954

NVMFS5832NLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMFS5832NLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVMFS5832NLT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.2 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.7W (Ta), 127W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

NVMFS5832NLT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

51nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 21A (Ta) 3.7W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVMFS5833NWFT3G

Descripción: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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