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1416342Imagen NVMFS5A160PLZT3GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5A160PLZT3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVMFS5A160PLZT3G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    -60V7.7MOHMSINGLE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NVMFS5A160PLZT3G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    7.7 mOhm @ 50A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    7700pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    P-Channel 60V 15A (Ta), 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta), 100A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL

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Descripción: -40V4.2MOHMSINGLE

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Descripción: -60V7.7MOHMSINGLE

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN

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