NVMFS5C680NLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMFS5C680NLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

T6 60V S08FL SINGLE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NVMFS5C680NLT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 13µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

27.5 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.4W (Ta), 24W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Otros nombres

NVMFS5C680NLT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 8.1A (Ta), 21A (Tc) 3.4W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.1A (Ta), 21A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVMFS5C673NLAFT3G

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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