NVMFS6B14NLWFT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMFS6B14NLWFT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 11A 5DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / No conforme a RoHS
Especificaciones

NVMFS6B14NLWFT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

13 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 94W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

44 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 11A (Ta), 55A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 55A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVMFS6B25NLT1G

Descripción: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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