NVTFS4C13NWFTWG

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Especificaciones

Número de pieza

NVTFS4C13NWFTWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVTFS4C13NWFTWG.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

770pF @ 15V
Tensión - Desglose

8-WDFN (3.3x3.3)
VGS (th) (Max) @Id

9.4 mOhm @ 30A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

14A (Ta)
Polarización

8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

23 Weeks
Número de pieza del fabricante

NVTFS4C13NWFTWG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15.2nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.1V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 30V 14A (Ta) 3W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30V
relación de capacidades

3W (Ta), 26W (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVTFS4C13NTWG

Descripción: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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