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1762883Imagen NVTR4502PT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVTR4502PT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVTR4502PT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NVTR4502PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    200 mOhm @ 1.95A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    400mW (Tj)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    NVTR4502PT1G-ND
    NVTR4502PT1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    200pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 1.13A (Ta) 400mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.13A (Ta)

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