RFD12N06RLE

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Especificaciones

Número de pieza

RFD12N06RLE
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RFD12N06RLE.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251AA
Serie

UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

63 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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Fabricantes: RF Digital

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