RFD3055LESM

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Especificaciones

Número de pieza

RFD3055LESM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RFD3055LESM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252AA
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

107 mOhm @ 8A, 5V
La disipación de energía (máximo)

38W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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