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RFD8P05SM

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RFD8P05SM
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    RFD8P05SM.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-252AA
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    300 mOhm @ 8A, 10V
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    80nC @ 20V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    50V
  • Descripción detallada
    P-Channel 50V 8A (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

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