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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > S1JVNJD2873T4G
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S1JVNJD2873T4G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S1JVNJD2873T4G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANSISTOR PNP BIPO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 50mA, 1A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.68W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    65MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 500mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    2A

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