SFT1341-W

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Especificaciones

Número de pieza

SFT1341-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 40V 10A TP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SFT1341-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK/TP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

112 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 15W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 10A (Ta) 1W (Ta), 15W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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