SFT1431-W

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Especificaciones

Número de pieza

SFT1431-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Descripción

MOSFET N-CH 35V 11A TP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SFT1431-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK/TP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 15W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

35V
Descripción detallada

N-Channel 35V 11A (Ta) 1W (Ta), 15W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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