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SGP13N60UFDTU

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SGP13N60UFDTU
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 13A 60W TO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.SGP13N60UFDTU.pdf
    2.SGP13N60UFDTU.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 6.5A
  • Condición de prueba
    300V, 6.5A, 50 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    20ns/70ns
  • Cambio de Energía
    85µJ (on), 95µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    55ns
  • Potencia - Max
    60W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    25nC
  • Descripción detallada
    IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    52A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    13A
  • Número de pieza base
    SG*13N60

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Descripción: MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM

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Descripción: IGBT 600V 23A 100W TO220

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 600V 13A 60W TO220

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