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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > SMMBTA13LT1G

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Imagen SMMBTA13LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMBTA13LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

SMMBTA13LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SMMBTA13LT1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potencia - Max

225mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

125MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

300mA
Número de pieza base

MMBTA13

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