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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > SMMBTH10-4LT3G

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Imagen SMMBTH10-4LT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMBTH10-4LT3G

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Especificaciones

Número de pieza

SMMBTH10-4LT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN VHF/UHF SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SMMBTH10-4LT3G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

25V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potencia - Max

225mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f)

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

-
Frecuencia - Transición

800MHz
Descripción detallada

RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 4mA, 10V
Corriente - colector (Ic) (Max)

-

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