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4560332Imagen TF412ST5GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

TF412ST5G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TF412ST5G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TF412ST5G.pdf
  • Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id
    180mV @ 1µA
  • Tensión - Breakdown (V (BR) GSS)
    30V
  • Paquete del dispositivo
    SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    100mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    3-XFDFN
  • Otros nombres
    TF412ST5GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    JFET N-Channel 30V 10mA 100mW Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
  • Consumo de corriente (Id) - Max
    10mA
  • Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)
    1.2mA @ 10V

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Descripción: CRYSTAL 32.7680KHZ 9PF SMD

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Descripción: JFET N-CH 1MA 30MW USFP

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