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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > TIP102G
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6357084Imagen TIP102GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

TIP102G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TIP102G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TIP102G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    2.5V @ 80mA, 8A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    TIP102GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    25 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 2W Through Hole TO-220AB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 3A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    50µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    8A
  • Número de pieza base
    TIP10*

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220

Fabricantes: Fairchild/ON Semiconductor
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Descripción: TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB

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