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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > TIP111TU

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TIP111TU

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Especificaciones

Número de pieza

TIP111TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TIP111TU.pdf
2.TIP111TU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 2A 2W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

2mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A
Número de pieza base

TIP111

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