UMZ1NT1

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Especificaciones

Número de pieza

UMZ1NT1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

UMZ1NT1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Tipo de transistor

NPN, PNP
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Potencia - Max

250mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

UMZ1NT1OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

114MHz, 142MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max)

2µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

200mA
Número de pieza base

UMZ1N

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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UMZ2NTR

Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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