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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > RM25C128DS-LSNI-B
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436319Imagen RM25C128DS-LSNI-BAdesto Technologies

RM25C128DS-LSNI-B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RM25C128DS-LSNI-B
  • Fabricante / Marca
    Adesto Technologies
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC CBRAM 128K SPI 20MHZ 8TSSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RM25C128DS-LSNI-B.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    100µs, 5ms
  • Suministro de voltaje
    1.65 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    CBRAM
  • Paquete del dispositivo
    8-TSSOP
  • Serie
    Mavriq™
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Otros nombres
    1265-1250
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128kb (64B Page Size)
  • Interfaz de memoria
    SPI
  • Formato de memoria
    CBRAM®
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    26 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    CBRAM Memory IC 128kb (64B Page Size) SPI 20MHz 8-TSSOP
  • Frecuencia de reloj
    20MHz

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