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1402997Imagen ALD1110EPALAdvanced Linear Devices, Inc.

ALD1110EPAL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ALD1110EPAL
  • Fabricante / Marca
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ALD1110EPAL.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.01V @ 1µA
  • Paquete del dispositivo
    8-PDIP
  • Serie
    EPAD®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    500 Ohm @ 5V
  • Potencia - Max
    600mW
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    10V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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