ALD114913SAL

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Especificaciones

Número de pieza

ALD114913SAL
Fabricante / Marca

Advanced Linear Devices, Inc.
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ALD114913SAL.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.26V @ 1µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

EPAD®
RDS (Max) @Id, Vgs

500 Ohm @ 2.7V
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

1014-1066
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

10.6V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12mA, 3mA

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