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4729622Imagen AS4C16M16D1-5TCNTRAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16D1-5TCNTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C16M16D1-5TCNTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AS4C16M16D1-5TCNTR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    700ps

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C128MD2-25BCNTR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

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AS4C16M16D1-5TINTR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA

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