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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C256M16D3-12BCN
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5573400Imagen AS4C256M16D3-12BCNAlliance Memory, Inc.

AS4C256M16D3-12BCN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C256M16D3-12BCN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3
  • Paquete del dispositivo
    96-FBGA (13x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    96-TFBGA
  • Otros nombres
    1450-1095
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x9)
  • Frecuencia de reloj
    800MHz
  • Tiempo de acceso
    20ns
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3A-12BANTR

AS4C256M16D3A-12BANTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C256M16D3-12BCNTR

AS4C256M16D3-12BCNTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3-12BINTR

AS4C256M16D3-12BINTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3B-12BAN

AS4C256M16D3B-12BAN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1M16S-7TCNTR

AS4C1M16S-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3A-12BAN

AS4C256M16D3A-12BAN

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C1M16S-6TINTR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3-12BANTR

AS4C256M16D3-12BANTR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C256M16D3A-12BIN

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP

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AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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