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AS4C256M32MD2-18BIN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C256M32MD2-18BIN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AS4C256M32MD2-18BIN.pdf
  • Suministro de voltaje
    1.2V, 1.8V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Paquete del dispositivo
    134-FBGA (11.5x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    134-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Gb (256M x 32)
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (256M x 32) 533MHz 134-FBGA (11.5x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    533MHz

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M8D3-12BAN

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C256M16D3LB-12BINTR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M8D3-12BCN

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C256M8D2-25BINTR

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C256M16D3LA-12BINTR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

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AS4C256M8D2-25BCNTR

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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