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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C2M32S-6BIN

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Imagen AS4C2M32S-6BIN

Alliance Memory, Inc.

AS4C2M32S-6BIN

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Especificaciones

Número de pieza

AS4C2M32S-6BIN
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS4C2M32S-6BIN.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

2ns
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

90-TFBGA
Otros nombres

1450-1147
AS4C2M32S-6BIN-ND
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

64Mb (2M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.4ns

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