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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C32M16D2A-25BIN
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6590001Imagen AS4C32M16D2A-25BINAlliance Memory, Inc.

AS4C32M16D2A-25BIN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C32M16D2A-25BIN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AS4C32M16D2A-25BIN.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    84-FBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    84-TFBGA
  • Otros nombres
    1450-1289
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    400MHz
  • Tiempo de acceso
    400ps

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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AS4C32M16D3-12BIN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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AS4C32M16D2A-25BAN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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