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5710497Imagen AS4C4M16D1A-5TCNAlliance Memory, Inc.

AS4C4M16D1A-5TCN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C4M16D1A-5TCN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    1450-1290
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    64Mb (4M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    700ps
AS4C4M16S-6TIN

AS4C4M16S-6TIN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M16S-6BINTR

AS4C4M16S-6BINTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16D1-5TIN

AS4C4M16D1-5TIN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C4M16D1A-5TINTR

AS4C4M16D1A-5TINTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16S-6TAN

AS4C4M16S-6TAN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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AS4C4M16S-6BIN

AS4C4M16S-6BIN

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C4M16D1-5TCN

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M8SA-7TCN

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M8SA-7TCNTR

AS4C32M8SA-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C4M16S-6TANTR

AS4C4M16S-6TANTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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AS4C4M16S-6TCNTR

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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AS4C4M16D1A-5TCNTR

AS4C4M16D1A-5TCNTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C4M16D1-5TINTR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M8SA-6TIN

AS4C32M8SA-6TIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C4M16S-6TCN

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