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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C512M8D3-12BINTR
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4439335Imagen AS4C512M8D3-12BINTRAlliance Memory, Inc.

AS4C512M8D3-12BINTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C512M8D3-12BINTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AS4C512M8D3-12BINTR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3
  • Paquete del dispositivo
    78-FBGA (9x10.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    78-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Frecuencia de reloj
    800MHz
  • Tiempo de acceso
    20ns

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Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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