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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C8M32MSA-6BIN
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609217Imagen AS4C8M32MSA-6BINAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32MSA-6BIN

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570+
$4.513
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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C8M32MSA-6BIN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile
  • Paquete del dispositivo
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    90-VFBGA
  • Otros nombres
    1450-1457
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (8M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-FBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5.5ns
AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16SA-6TANTR

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16SA-6TCNTR

AS4C8M16SA-6TCNTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C8M16SA-7BCNTR

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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