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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS6C2008A-55BINTR

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AS6C2008A-55BINTR

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2000+

$2.156

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Especificaciones

Número de pieza

AS6C2008A-55BINTR
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS6C2008A-55BINTR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

55ns
Suministro de voltaje

2.7 V ~ 5.5 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

36-TFBGA (6x8)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

36-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

2Mb (256K x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8)
Tiempo de acceso

55ns

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